本專案於國立臺灣大學 IOED 實驗室完成

OPTIC 2025

我有機會在 Optics & Photonics Taiwan International Conference (OPTIC) 2025（於 2025 年 12 月舉行）上發表我的研究成果。這是一段非常寶貴的經驗，讓我能與來自光電領域的研究人員與工程師分享我們在異質接面光電電晶體方面的工作，並深入了解光子學與半導體元件研究的最新進展。

研究

我們的研究探討 單量子井異質接面光電電晶體（SQW-HPT） 的波長依賴光電流響應。此類元件結合了異質接面雙極性電晶體（HBT）的電流增益特性與量子井的光吸收能力。透過使用 830 nm 與 905 nm 雷射二極體照射元件，我們研究不同光子能量如何影響載子產生，進而影響電晶體輸出。

其核心概念在於：在光照下，耗盡區中的光生載子會形成一種「光致基極電流」，並由電晶體的內在增益加以放大。下方能帶圖說明了電晶體在光輸入下的運作機制：光子在量子井與耗盡區附近被吸收，驅動載子並產生光電流。

由於 830 nm 光具有較短波長（較高光子能量），相較於 905 nm 光，在 GaAs 基有源層中的吸收更強。因此會產生較大的光生電流，這在基極-集極（BC）二極體特性中表現為較高的反向電流幅值，並在 Ic–Vce 曲線族中呈現較大的集極電流。

這些結果證實了 SQW-HPT 的波長選擇特性，使其在波長選擇型光偵測器以及光電積體電路（OEIC）應用方面具有潛力。